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三星和台积电都开启了3nm制程工艺的研发

来源：时间：2021-04-25

三星和台积电都开启了3nm制程工艺的研发，如今前者已经开始对外展示了一些3nm工艺的技术内容。三星在IEEE 国际固态电路会议上，向与会者分享了3nm GAE MBCEFET芯片的制造细节。

据介绍，三星GAAFET晶体管在构造上有两种形态，是目前FinFET的升级版。一是传统的GAAFET工艺，采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄;二是三星提出的MBCFET工艺，使用纳米片构造晶体管，完全兼容FinFET设计，不需要任何新的制造工具，同时可通过GAA结构减轻短沟道效应，还通过扩展通道面积来提高性能。